FDJ127P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDJ127P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SC75-6FLMP

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FDJ127P datasheet

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FDJ127P

July 2004 FDJ127P P-Channel -1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -1.8V specified MOSFET uses 4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 60 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage Power Trench RDS(ON) = 85 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 133 m @ VGS = 1.8 V management

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FDJ127P

August 2004 FDJ128N N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel -2.5V specified MOSFET uses 5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 51 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate charge Application

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FDJ127P

November 2007 tm FDJ129P P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -2.5V specified MOSFET uses 4.2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate ch

Otros transistores... FDH50N50F133, FDH5500, FDI025N06, FDI047AN08A0, FDI2532, FDI33N25, FDI3652, FDI8442, 2N60, FDJ128N, FDJ128NF077, FDJ129P, FDM100-0045SP, FDM21-05QC, FDM606P, FDM6296, FDMA1430JP