FDJ128N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDJ128N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SC75-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDJ128N
FDJ128N Datasheet (PDF)
fdj128n fdj128n f077.pdf
August 2004 FDJ128N N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel -2.5V specified MOSFET uses 5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 51 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate charge Application
fdj127p.pdf
July 2004 FDJ127P P-Channel -1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -1.8V specified MOSFET uses 4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 60 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage Power TrenchRDS(ON) = 85 m @ VGS = 2.5 V process. It has been optimized for battery power RDS(ON) = 133 m @ VGS = 1.8 V management
fdj129p.pdf
November 2007tmFDJ129P P-Channel -2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel -2.5V specified MOSFET uses 4.2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 120 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management applications. Low gate ch
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
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