FDM21-05QC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM21-05QC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS-I4-PAC

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FDM21-05QC datasheet

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FDM21-05QC

FMD 21-05QC FDM 21-05QC ID25 = 21 A Q-Class VDSS = 500 V Power MOSFETs RDSon typ. = 190 m Chopper Topologies in ISOPLUS i4-PACTM FMD FDM 3 3 Preliminary data 5 4 4 1 1 5 2 2 Features MOSFET Q-Class Power MOSFET technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon - low gate charge for high frequency VDSS TVJ = 25 C to 150 C 500 V operat

Otros transistores... FDI33N25, FDI3652, FDI8442, FDJ127P, FDJ128N, FDJ128NF077, FDJ129P, FDM100-0045SP, IRFB31N20D, FDM606P, FDM6296, FDMA1430JP, FDMA6676PZ, FDMA86108LZ, FDMA86251, FDMB506P, FDMC6688P