FDM21-05QC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDM21-05QC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAC
Búsqueda de reemplazo de FDM21-05QC MOSFET
FDM21-05QC Datasheet (PDF)
fdm21-05qc fmd21-05qc fdm21-05qc.pdf

FMD 21-05QCFDM 21-05QCID25 = 21 AQ-ClassVDSS = 500 VPower MOSFETsRDSon typ. = 190 mChopper Topologiesin ISOPLUS i4-PACTMFMD FDM3 3Preliminary data5441152 2Features MOSFET Q-Class Power MOSFET technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon- low gate charge for high frequencyVDSS TVJ = 25C to 150C 500 Voperat
Otros transistores... FDI33N25 , FDI3652 , FDI8442 , FDJ127P , FDJ128N , FDJ128NF077 , FDJ129P , FDM100-0045SP , IRF730 , FDM606P , FDM6296 , FDMA1430JP , FDMA6676PZ , FDMA86108LZ , FDMA86251 , FDMB506P , FDMC6688P .
History: LBSS84WT1G | HMS120N03D
History: LBSS84WT1G | HMS120N03D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503