FDM21-05QC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDM21-05QC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAC
Аналог (замена) для FDM21-05QC
FDM21-05QC Datasheet (PDF)
fdm21-05qc fmd21-05qc fdm21-05qc.pdf
FMD 21-05QCFDM 21-05QCID25 = 21 AQ-ClassVDSS = 500 VPower MOSFETsRDSon typ. = 190 mChopper Topologiesin ISOPLUS i4-PACTMFMD FDM3 3Preliminary data5441152 2Features MOSFET Q-Class Power MOSFET technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon- low gate charge for high frequencyVDSS TVJ = 25C to 150C 500 Voperat
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918