FDP13AN06A0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP13AN06A0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP13AN06A0

FDP13AN06A0 Datasheet (PDF)

..1. Size:300K fairchild semi
fdb13an06a0 fdp13an06a0.pdf

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..2. Size:297K fairchild semi
fdp13an06a0.pdf

9.1. Size:625K fairchild semi
fdp13n50f fdpf13n50ft.pdf

September 2007UniFETTMFDP13N50F / FDPF13N50FTtmN-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54Features Description RDS(on) = 0.42 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 30nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 14.5pF)This advanced technol

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Liste

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