FDR840P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDR840P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1532 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SSOT-8
Búsqueda de reemplazo de FDR840P MOSFET
FDR840P Datasheet (PDF)
fdr840p.pdf

December 2000FDR840PP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged 10 A, 20 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 Vgate PowerTrench process. It has been optimized forRDS(ON) = 17.5 m @ VGS = 2.5 Vpower management applications with a wide range ofgate drive voltage (2.5V
fdr844p.pdf

October 2001 FDR844P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 10 A, 20 V. RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 14 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 20 m @VGS =
fdr842p.pdf

December 2001 FDR842P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 11 A, 12 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 16 m @ VG
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History: CSP250 | CSP610TH



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
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