FDS2170N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS2170N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.128 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDS2170N3 datasheet

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FDS2170N3

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FDS2170N3

December 2003 FDS2170N7 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been

Otros transistores... FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, AO3407, FDS2170N7, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670, FDS3680, FDS3682, FDS4070N3, FDS4070N7