FDS6064N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS6064N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1403 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDS6064N3 datasheet

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FDS6064N3

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FDS6064N3

May 2003 FDS6064N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V. RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 4 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 6 m @ VGS = 1.8 V switching PWM controllers. It has b

Otros transistores... FDS4080N3, FDS4080N7, FDS4410A, FDS4770, FDS4780, FDS5170N7, FDS5682, FDS5692Z, IRLB3034, FDS6064N7, FDS6162N3, FDS6162N7, FDS6299S, FDS6572A, FDS6609A, FDS6672A, FDS6673AZ