Справочник MOSFET. FDS6064N3

 

FDS6064N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS6064N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1403 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6064N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  fairchild semi
 fds6064n3.pdf pdf_icon

FDS6064N3

May 2003 FDS6064N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Applications This N-Channel MOSFET has been designed Synchronous rectifier specifically to improve the overall efficiency of DC/DC DC/DC converter converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for FLMP SO-8 package: Enhanced thermal

 6.1. Size:196K  fairchild semi
 fds6064n7.pdf pdf_icon

FDS6064N3

May 2003 FDS6064N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V. RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 4 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 6 m @ VGS = 1.8 V switching PWM controllers. It has b

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF7807VD2 | FQPF630 | 10N60L-TF2-T | 2SK1500 | RJK0395DPA | 4N65KG-TM3-T | FDMC86340

 

 
Back to Top

 


 
.