Справочник MOSFET. FDS6064N3

 

FDS6064N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS6064N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1403 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS6064N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6064N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  fairchild semi
 fds6064n3.pdf pdf_icon

FDS6064N3

May 2003 FDS6064N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Applications This N-Channel MOSFET has been designed Synchronous rectifier specifically to improve the overall efficiency of DC/DC DC/DC converter converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for FLMP SO-8 package: Enhanced thermal

 6.1. Size:196K  fairchild semi
 fds6064n7.pdf pdf_icon

FDS6064N3

May 2003 FDS6064N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V. RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 4 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 6 m @ VGS = 1.8 V switching PWM controllers. It has b

Другие MOSFET... FDS4080N3 , FDS4080N7 , FDS4410A , FDS4770 , FDS4780 , FDS5170N7 , FDS5682 , FDS5692Z , 60N06 , FDS6064N7 , FDS6162N3 , FDS6162N7 , FDS6299S , FDS6572A , FDS6609A , FDS6672A , FDS6673AZ .

History: IRFU022 | SE30150A | SM3419NHQA | RS1G180MN | NTMFS5C612NL | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.