FDS6162N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS6162N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1473 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDS6162N7 datasheet

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FDS6162N7

May 2003 FDS6162N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 5.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

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FDS6162N7

May 2003 FDS6162N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 21 A, 20 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

Otros transistores... FDS4770, FDS4780, FDS5170N7, FDS5682, FDS5692Z, FDS6064N3, FDS6064N7, FDS6162N3, AON7403, FDS6299S, FDS6572A, FDS6609A, FDS6672A, FDS6673AZ, FDS6675A, FDS6679Z, FDS6680S