FDS6162N7 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDS6162N7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDS6162N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1473 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS6162N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6162N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  fairchild semi
 fds6162n7.pdf pdf_icon

FDS6162N7

May 2003 FDS6162N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 5.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

 6.1. Size:187K  fairchild semi
 fds6162n3.pdf pdf_icon

FDS6162N7

May 2003 FDS6162N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 21 A, 20 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

Другие MOSFET... FDS4770 , FDS4780 , FDS5170N7 , FDS5682 , FDS5692Z , FDS6064N3 , FDS6064N7 , FDS6162N3 , HY1906P , FDS6299S , FDS6572A , FDS6609A , FDS6672A , FDS6673AZ , FDS6675A , FDS6679Z , FDS6680S .

History: IXTQ88N30P

 

 
Back to Top

 


 
.