FDS6162N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS6162N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1473 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS6162N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6162N7 даташит

 ..1. Size:195K  fairchild semi
 fds6162n7.pdf pdf_icon

FDS6162N7

May 2003 FDS6162N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 5.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

 6.1. Size:187K  fairchild semi
 fds6162n3.pdf pdf_icon

FDS6162N7

May 2003 FDS6162N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 21 A, 20 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

Другие IGBT... FDS4770, FDS4780, FDS5170N7, FDS5682, FDS5692Z, FDS6064N3, FDS6064N7, FDS6162N3, AON7403, FDS6299S, FDS6572A, FDS6609A, FDS6672A, FDS6673AZ, FDS6675A, FDS6679Z, FDS6680S