FDT461N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDT461N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT-223

 Búsqueda de reemplazo de FDT461N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDT461N datasheet

 ..1. Size:264K  fairchild semi
 fdt461n.pdf pdf_icon

FDT461N

April 2004 FDT461N N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 100V, 0.4A, 2.5 Features Applications rDS(ON) = 1.45 (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 0.4A Servo Motor Load Control Qg(tot) = 2.36nC (Typ.), VGS = 10V DC-DC converters Low Miller Charge Low QRR Body Diode DRAIN (FLANGE) D GATE DRAIN SOURCE G D S SOT-223 MOSFET Maximum Ratings TA = 25 C unles

Otros transistores... FDS7764S, FDS7779Z, FDS7788, FDS8670, FDS8812NZ, FDS8874, FDS9412A, FDT3N40TF, IRF630, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, FDU3706, FDU6030BL, FDU6296