FDT461N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDT461N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для FDT461N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT461N даташит

 ..1. Size:264K  fairchild semi
 fdt461n.pdf pdf_icon

FDT461N

April 2004 FDT461N N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 100V, 0.4A, 2.5 Features Applications rDS(ON) = 1.45 (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 0.4A Servo Motor Load Control Qg(tot) = 2.36nC (Typ.), VGS = 10V DC-DC converters Low Miller Charge Low QRR Body Diode DRAIN (FLANGE) D GATE DRAIN SOURCE G D S SOT-223 MOSFET Maximum Ratings TA = 25 C unles

Другие IGBT... FDS7764S, FDS7779Z, FDS7788, FDS8670, FDS8812NZ, FDS8874, FDS9412A, FDT3N40TF, IRF630, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, FDU3706, FDU6030BL, FDU6296