Справочник MOSFET. FDT461N

 

FDT461N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDT461N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для FDT461N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT461N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  fairchild semi
 fdt461n.pdf pdf_icon

FDT461N

April 2004 FDT461NN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET100V, 0.4A, 2.5Features Applications rDS(ON) = 1.45 (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 0.4A Servo Motor Load Control Qg(tot) = 2.36nC (Typ.), VGS = 10V DC-DC converters Low Miller Charge Low QRR Body DiodeDRAIN(FLANGE)D GATEDRAINSOURCEG D S SOT-223MOSFET Maximum Ratings TA = 25C unles

Другие MOSFET... FDS7764S , FDS7779Z , FDS7788 , FDS8670 , FDS8812NZ , FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , 7N65 , FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 .

History: IRF7805PBF-1 | DMP6023LFG | CJPF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.