FDT461N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDT461N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для FDT461N
FDT461N Datasheet (PDF)
fdt461n.pdf
April 2004 FDT461NN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET100V, 0.4A, 2.5Features Applications rDS(ON) = 1.45 (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 0.4A Servo Motor Load Control Qg(tot) = 2.36nC (Typ.), VGS = 10V DC-DC converters Low Miller Charge Low QRR Body DiodeDRAIN(FLANGE)D GATEDRAINSOURCEG D S SOT-223MOSFET Maximum Ratings TA = 25C unles
Другие MOSFET... FDS7764S , FDS7779Z , FDS7788 , FDS8670 , FDS8812NZ , FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , IRF630 , FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 .
History: VT6M1
History: VT6M1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent


