FDT461N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDT461N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
FDT461N Datasheet (PDF)
fdt461n.pdf
April 2004 FDT461NN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET100V, 0.4A, 2.5Features Applications rDS(ON) = 1.45 (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 0.4A Servo Motor Load Control Qg(tot) = 2.36nC (Typ.), VGS = 10V DC-DC converters Low Miller Charge Low QRR Body DiodeDRAIN(FLANGE)D GATEDRAINSOURCEG D S SOT-223MOSFET Maximum Ratings TA = 25C unles
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918