FDU6030BL Todos los transistores

 

FDU6030BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDU6030BL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 249 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251AA
 

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FDU6030BL Datasheet (PDF)

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FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GSspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSconverters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

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FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GSspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSconverters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

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History: FDU044AN03L | VBZE15N10

 

 
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