FDU6030BL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDU6030BL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 249 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO-251AA

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FDU6030BL datasheet

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FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GS specifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

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FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GS specifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

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