Справочник MOSFET. FDU6030BL

 

FDU6030BL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU6030BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 249 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для FDU6030BL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU6030BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 fdd6030bl fdu6030bl.pdf pdf_icon

FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GSspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSconverters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

 ..2. Size:71K  fairchild semi
 fdu6030bl.pdf pdf_icon

FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GSspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GSconverters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

Другие MOSFET... FDT3N40TF , FDT461N , FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , IRF4905 , FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 , FDU6N50F , FDU6N50TU .

History: BSS84LT1 | DMN3035LWN | IRF6668 | BSZ010NE2LS5 | VBZA7470 | 2SK2359 | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.