FDU6030BL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU6030BL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 249 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU6030BL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU6030BL даташит

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 fdd6030bl fdu6030bl.pdf pdf_icon

FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GS specifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

 ..2. Size:71K  fairchild semi
 fdu6030bl.pdf pdf_icon

FDU6030BL

July 2001 FDD6030BL/FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 42 A, 30 V R = 16 m @ V = 10 V DS(ON) GS specifically to improve the overall efficiency of DC/DC R = 22 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

Другие IGBT... FDT3N40TF, FDT461N, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, FDU3706, IRF4905, FDU6296, FDU6512A, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688, FDU6N50F, FDU6N50TU