FDU6512A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDU6512A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AA
Búsqueda de reemplazo de FDU6512A MOSFET
FDU6512A Datasheet (PDF)
fdd6512a fdu6512a.pdf

November 2001FDD6512A/FDU6512A20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 m @ VGS = 4.5 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for
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History: BSO064N03S | AP65PN2R6I | SM140R50CT2TL | NTMFD4C20N | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03
History: BSO064N03S | AP65PN2R6I | SM140R50CT2TL | NTMFD4C20N | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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