Справочник MOSFET. FDU6512A

 

FDU6512A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU6512A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU6512A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  fairchild semi
 fdd6512a fdu6512a.pdf pdf_icon

FDU6512A

November 2001FDD6512A/FDU6512A20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 m @ VGS = 4.5 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BUZ84A | OSG65R580IF | IRC330 | R6524KNX | IXFH22N65X2 | FQD5N50C | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.