FDU6512A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDU6512A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: TO-251AA
FDU6512A Datasheet (PDF)
fdd6512a fdu6512a.pdf
November 2001FDD6512A/FDU6512A20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 m @ VGS = 4.5 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918