Справочник MOSFET. FDU6512A

 

FDU6512A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU6512A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для FDU6512A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU6512A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  fairchild semi
 fdd6512a fdu6512a.pdf pdf_icon

FDU6512A

November 2001FDD6512A/FDU6512A20V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 m @ VGS = 4.5 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for

Другие MOSFET... FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 , AO3400 , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 , FDU6N50F , FDU6N50TU , FDU7030BL , FDU8580 .

History: BUZ40B | HGI090NE6A | SQ2337ES | 2SK346 | AP6901GSM-HF | MTP2N90 | AON7518

 

 
Back to Top

 


 
.