FDU6512A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU6512A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU6512A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU6512A даташит

 ..1. Size:68K  fairchild semi
 fdd6512a fdu6512a.pdf pdf_icon

FDU6512A

November 2001 FDD6512A/FDU6512A 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for

Другие IGBT... FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, FDU3706, FDU6030BL, FDU6296, AO3401, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688, FDU6N50F, FDU6N50TU, FDU7030BL, FDU8580