FDU7030BL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDU7030BL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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FDU7030BL datasheet

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FDU7030BL

June 2003 FDD7030BL/FDU7030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

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FDU7030BL

June 2003 FDD7030BL/FDU7030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

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