FDU7030BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDU7030BL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: I-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDU7030BL
FDU7030BL Datasheet (PDF)
fdd7030bl fdu7030bl.pdf
June 2003FDD7030BL/FDU7030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c
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June 2003FDD7030BL/FDU7030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c
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Liste
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