FDU7030BL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDU7030BL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для FDU7030BL
FDU7030BL Datasheet (PDF)
fdd7030bl fdu7030bl.pdf
June 2003FDD7030BL/FDU7030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c
fdd7030bl fdu7030bl.pdf
June 2003FDD7030BL/FDU7030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c
Другие MOSFET... FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 , FDU6N50F , FDU6N50TU , 13N50 , FDU8580 , FDU8586 , FDU8770 , FDU8770F071 , FDU8778 , FDU8780 , FDU8780F071 , FDU8782 .
History: FDU8778
History: FDU8778
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41