Справочник MOSFET. FDU7030BL

 

FDU7030BL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU7030BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FDU7030BL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU7030BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  fairchild semi
 fdd7030bl fdu7030bl.pdf pdf_icon

FDU7030BL

June 2003FDD7030BL/FDU7030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

 ..2. Size:126K  fairchild semi
 fdd7030bl fdu7030bl.pdf pdf_icon

FDU7030BL

June 2003FDD7030BL/FDU7030BL30V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

Другие MOSFET... FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 , FDU6N50F , FDU6N50TU , TK10A60D , FDU8580 , FDU8586 , FDU8770 , FDU8770F071 , FDU8778 , FDU8780 , FDU8780F071 , FDU8782 .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.