FDU7030BL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU7030BL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FDU7030BL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU7030BL даташит

 ..1. Size:123K  fairchild semi
 fdd7030bl fdu7030bl.pdf pdf_icon

FDU7030BL

June 2003 FDD7030BL/FDU7030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

 ..2. Size:126K  fairchild semi
 fdd7030bl fdu7030bl.pdf pdf_icon

FDU7030BL

June 2003 FDD7030BL/FDU7030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 56 A, 30 V RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 13 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

Другие IGBT... FDU6296, FDU6512A, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688, FDU6N50F, FDU6N50TU, 13N50, FDU8580, FDU8586, FDU8770, FDU8770F071, FDU8778, FDU8780, FDU8780F071, FDU8782