FDW262P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDW262P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de FDW262P MOSFET
FDW262P Datasheet (PDF)
fdw262p.pdf

July 2008 FDW262P 20V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is produced 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 47 m @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advancedRDS(ON) = 65 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process that has been especially tailored RDS(ON) = 100 m @ VGS = 1.8 V to
fdw264p.pdf

November 2003 FDW264P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 9.7 A, 20 V. RDS(ON) = 10.0 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 14.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit
fdw2601nz.pdf

FDW2601NZwww.VBsemi.twDual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = 10 V Available8.630RoHS*0.019 at VGS = 4.5 V 7.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... FDV303NNB9U008 , FDV304PD87Z , FDV304PNB8U003 , FDW252P , FDW254P , FDW254PZ , FDW256P , FDW258P , AON6380 , FDW264P , FDW6923 , FDZ201N , FDZ202P , FDZ204P , FDZ206P , FDZ208P , FDZ209N .
History: HY3N80T
History: HY3N80T



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