FDW262P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDW262P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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FDW262P datasheet

 ..1. Size:214K  fairchild semi
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FDW262P

July 2008 FDW262P 20V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET is produced 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 47 m @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 65 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process that has been especially tailored RDS(ON) = 100 m @ VGS = 1.8 V to

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FDW262P

November 2003 FDW264P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 9.7 A, 20 V. RDS(ON) = 10.0 m @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 14.5 m @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It has been optimized for power management applications wit

 9.2. Size:842K  cn vbsemi
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FDW262P

FDW2601NZ www.VBsemi.tw Dual N-Channel 3 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = 10 V Available 8.6 30 RoHS* 0.019 at VGS = 4.5 V 7.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G2 1 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Otros transistores... FDV303NNB9U008, FDV304PD87Z, FDV304PNB8U003, FDW252P, FDW254P, FDW254PZ, FDW256P, FDW258P, IRFZ24N, FDW264P, FDW6923, FDZ201N, FDZ202P, FDZ204P, FDZ206P, FDZ208P, FDZ209N