FDZ7064N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ7064N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 522 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: BGA

 Búsqueda de reemplazo de FDZ7064N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDZ7064N datasheet

 ..1. Size:186K  fairchild semi
 fdz7064n.pdf pdf_icon

FDZ7064N

May 2004 FDZ7064N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s 30V PowerTrench process with 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 8.0 m @ VGS = 4.5 V state of the art BGA packaging, the FDZ7064N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA RDS(ON) = 7.0 m @ VGS = 10 V MOSFET embodies a breakthrough in packaging technol

 7.1. Size:596K  fairchild semi
 fdz7064as.pdf pdf_icon

FDZ7064N

December 2004 FDZ7064AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFET Features General Description 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 10 V This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and RDS(ON) = 7.1 m @ VGS = 4.5 V parallel Schottky diode in synchronous DC DC power supplies. Combining Fairchild s 30V PowerTrench SyncFET process with Occupies only 14 mm2 of

Otros transistores... FDZ298N, FDZ299P, FDZ3N513ZT, FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, MMIS60R580P, FDZ7296, ZDX050N50, ZDX080N50, ZVN0106A, ZVN0124ASTOA, ZVN0124ASTOB, ZVN0124ASTZ, ZVN0540ASTOA