FDZ7064N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDZ7064N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 522 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: BGA
Búsqueda de reemplazo de FDZ7064N MOSFET
FDZ7064N Datasheet (PDF)
fdz7064n.pdf
May 2004 FDZ7064N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds 30V PowerTrench process with 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 8.0 m @ VGS = 4.5 V state of the art BGA packaging, the FDZ7064N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA RDS(ON) = 7.0 m @ VGS = 10 V MOSFET embodies a breakthrough in packaging technol
fdz7064as.pdf
December 2004FDZ7064AS30V N-Channel PowerTrench SyncFET BGA MOSFETFeatures General Description 13.5 A, 30 V. RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 10 V This MOSFET is designed to replace a single MOSFET andRDS(ON) = 7.1 m @ VGS = 4.5 V parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies.Combining Fairchilds 30V PowerTrench SyncFET process with Occupies only 14 mm2 of
Otros transistores... FDZ298N , FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , 2N7002 , FDZ7296 , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ , ZVN0540ASTOA .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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