FDZ7296 Todos los transistores

 

FDZ7296 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ7296
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: BGA2.5X4.0
 

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FDZ7296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  fairchild semi
 fdz7296.pdf pdf_icon

FDZ7296

July 2007tmFDZ7296 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET General Description Features 11 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V Combining Fairchilds advanced PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ7296 RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

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History: LSB60R070HT | APQ110SN5EA | CXDM3069N | AUIRFR2307ZTR | BRCS250N10SDP | 36N06 | 2SK2074

 

 
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