FDZ7296 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDZ7296
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: BGA2.5X4.0
Búsqueda de reemplazo de FDZ7296 MOSFET
FDZ7296 Datasheet (PDF)
fdz7296.pdf
July 2007tmFDZ7296 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET General Description Features 11 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V Combining Fairchilds advanced PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ7296 RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging
Otros transistores... FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , HY1906P , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ , ZVN0540ASTOA , ZVN0540ASTOB .
History: SI3473DV | NCEP080N85AK
History: SI3473DV | NCEP080N85AK
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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