Справочник MOSFET. FDZ7296

 

FDZ7296 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ7296
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: BGA2.5X4.0
 

 Аналог (замена) для FDZ7296

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ7296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  fairchild semi
 fdz7296.pdf pdf_icon

FDZ7296

July 2007tmFDZ7296 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET General Description Features 11 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V Combining Fairchilds advanced PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ7296 RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

Другие MOSFET... FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , HY1906P , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ , ZVN0540ASTOA , ZVN0540ASTOB .

History: 2N7002KTB | HMS11N60

 

 
Back to Top

 


 
.