FDZ7296 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDZ7296
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: BGA2.5X4.0
Аналог (замена) для FDZ7296
FDZ7296 Datasheet (PDF)
fdz7296.pdf

July 2007tmFDZ7296 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET General Description Features 11 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V Combining Fairchilds advanced PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ7296 RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging
Другие MOSFET... FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , HY1906P , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ , ZVN0540ASTOA , ZVN0540ASTOB .
History: BSP125
History: BSP125



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor