Справочник MOSFET. FDZ7296

 

FDZ7296 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ7296
   Маркировка: 7296
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: BGA2.5X4.0
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ7296 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  fairchild semi
 fdz7296.pdf pdf_icon

FDZ7296

July 2007tmFDZ7296 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET General Description Features 11 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V Combining Fairchilds advanced PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ7296 RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFC80N10 | FDW254P

 

 
Back to Top

 


 
.