ZDX050N50 Todos los transistores

 

ZDX050N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZDX050N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

 Búsqueda de reemplazo de ZDX050N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ZDX050N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  rohm
 zdx050n50.pdf pdf_icon

ZDX050N50

ZDX050N50 Nch 500V 5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V TO-220FMRDS(on) (Max.)1.5W(3) ID5A(2) (1) PD40WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

Otros transistores... FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , AO4407A , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ , ZVN0540ASTOA , ZVN0540ASTOB , ZVN0540ASTZ .

History: IPB042N10N3GE8187 | ZVN0124ASTOB | 2N60L-T60-T | IPB039N10N3GE8187 | STB25NM50N-1

 

 
Back to Top

 


 
.