ZDX050N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZDX050N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FM
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZDX050N50
ZDX050N50 Datasheet (PDF)
zdx050n50.pdf
ZDX050N50 Nch 500V 5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V TO-220FMRDS(on) (Max.)1.5W(3) ID5A(2) (1) PD40WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead
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Liste
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