IRFR110A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR110A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRFR110A datasheet

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IRFR110A

IRFR/U110A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.289 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maxim

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IRFR110A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.289 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 7.1. Size:282K  1
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IRFR110A

 7.2. Size:172K  international rectifier
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IRFR110A

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