IRFR110A - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IRFR110A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR110A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR110A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFR110A даташит

..1. Size:255K fairchild semi
irfr110a irfu110a.pdf pdf_icon

IRFR/U110A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.289 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maxim

..2. Size:496K samsung
irfr110a.pdf pdf_icon

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.289 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

7.1. Size:282K 1
irfr110 irfu110.pdf pdf_icon