IRFR110A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFR110A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFR110A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR110A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR110A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  fairchild semi
 irfr110a irfu110a.pdf pdf_icon

IRFR110A

IRFR/U110AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maxim

 ..2. Size:496K  samsung
 irfr110a.pdf pdf_icon

IRFR110A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 7.1. Size:282K  1
 irfr110 irfu110.pdf pdf_icon

IRFR110A

 7.2. Size:172K  international rectifier
 irfr110.pdf pdf_icon

IRFR110A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFR015 , IRFR020 , IRFR022 , IRFR024 , IRFR024A , IRFR024N , IRFR025 , IRFR110 , IRF1404 , IRFR111 , IRFR120 , IRFR1205 , IRFR120A , IRFR120N , IRFR121 , IRFR130A , IRFR1N60A .

History: FQD4N50TF | IXTX20N150 | DH8004D | FQD4P40 | 12N10G-TN3-R | IXTX120P20T | 12N60G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.