IRFPE32 Todos los transistores

 

IRFPE32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFPE32
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFPE32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPE32

 8.1. Size:165K  international rectifier
 irfpe30.pdf pdf_icon

IRFPE32

 8.2. Size:1518K  vishay
 irfpe30pbf.pdf pdf_icon

IRFPE32

IRFPE30, SiHFPE30Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 9.6 Ease of ParallelingQgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead (P

 8.3. Size:1520K  vishay
 irfpe30 sihfpe30.pdf pdf_icon

IRFPE32

IRFPE30, SiHFPE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 9.6 Ease of ParallelingQgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

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History: AFP4435 | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | 8N50H

 

 
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