IRFPE32 Todos los transistores

 

IRFPE32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPE32

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-247AC

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IRFPE32 Datasheet (PDF)

1.1. irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf Size:123K _upd-mosfet

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4.1. irfpe30pbf.pdf Size:1518K _upd-mosfet

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IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available • Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 3.0 RoHS* • Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 • Fast Switching Qgs (nC) 9.6 • Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 • Simple Drive Requirements Configuration Single • Lead (P

4.2. irfpe30.pdf Size:165K _international_rectifier

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 4.3. irfpe30 sihfpe30.pdf Size:1520K _vishay

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IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) (?)VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directiv

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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