IRFPE32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPE32

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для IRFPE32

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPE32 даташит

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPE32

 8.1. Size:165K  international rectifier
 irfpe30.pdf pdf_icon

IRFPE32

 8.2. Size:1518K  vishay
 irfpe30pbf.pdf pdf_icon

IRFPE32

IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Lead (P

 8.3. Size:1520K  vishay
 irfpe30 sihfpe30.pdf pdf_icon

IRFPE32

IRFPE30, SiHFPE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rated VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 9.6 Ease of Paralleling Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPC50APBF, IRFPC50LCPBF, IRFPC50PBF, IRFPC60LCPBF, IRFPC60PBF, IRFPE20, IRFPE22, IRFPE30PBF, 2N7000, IRFPE40PBF, IRFPE42, IRFPE50PBF, IRFPE52, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32