IRFPE40PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFPE40PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPE40PBF

IRFPE40PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1490K vishay
irfpe40pbf.pdf

IRFPE40, SiHFPE40Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 130COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 17Qgd (nC) 72 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Lea

7.1. Size:871K international rectifier
irfpe40.pdf

PD - 94890IRFPE40PbF Lead-Free12/15/03Document Number: 91247 www.vishay.com1IRFPE40PbFDocument Number: 91247 www.vishay.com2IRFPE40PbFDocument Number: 91247 www.vishay.com3IRFPE40PbFDocument Number: 91247 www.vishay.com4IRFPE40PbFDocument Number: 91247 www.vishay.com5IRFPE40PbFDocument Number: 91247 www.vishay.com6IRFPE40PbFTO-247AC Package O

7.2. Size:830K vishay
irfpe40.pdf

IRFPE40www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt ratingVDS (V) 800 Repetitive avalanche ratedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Isolated central mounting holeQg (Max.) (nC) 130 Fast switchingQgs (nC) 17Qgd (nC) 72 Ease of parallelingConfiguration Single Simple drive requirementsD Material categorization: fo

7.3. Size:1525K vishay
irfpe40 sihfpe40.pdf

IRFPE40, SiHFPE40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 17Qgd (nC) 72 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Complia

7.4. Size:1530K infineon
irfpe40 sihfpe40.pdf

IRFPE40, SiHFPE40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 17Qgd (nC) 72 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Complia

7.5. Size:252K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFPE40FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

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History: IXFP12N50P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: