IRFPF30PBF Todos los transistores

 

IRFPF30PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFPF30PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
 

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IRFPF30PBF PDF Specs

 ..1. Size:1714K  international rectifier
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IRFPF30PBF

PD- 95717 IRFPF30PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91249 www.vishay.com 1 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 2 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 3 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 4 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 5 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 6 IRFPF30PbF Peak Diode Recovery d... See More ⇒

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IRFPF30PBF

IRFPF30, SiHFPF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian... See More ⇒

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IRFPF30PBF

IRFPF30, SiHFPF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian... See More ⇒

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History: APT20M34BFLLG

 

 
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