IRFPF30PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFPF30PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de IRFPF30PBF MOSFET
IRFPF30PBF datasheet
irfpf30pbf.pdf
PD- 95717 IRFPF30PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91249 www.vishay.com 1 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 2 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 3 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 4 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 5 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 6 IRFPF30PbF Peak Diode Recovery d
irfpf30pbf sihfpf30.pdf
IRFPF30, SiHFPF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian
irfpf30 sihfpf30.pdf
IRFPF30, SiHFPF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian
Otros transistores... IRFPE30PBF , IRFPE32 , IRFPE40PBF , IRFPE42 , IRFPE50PBF , IRFPE52 , IRFPF20 , IRFPF22 , AON7408 , IRFPF32 , IRFPF40PBF , IRFPF42 , IRFPF52 , IRFPG20 , IRFPG22 , IRFPG30PBF , IRFPG32 .
Liste
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