IRFPF32 Todos los transistores

 

IRFPF32 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFPF32
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFPF32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPF32

 8.1. Size:165K  international rectifier
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IRFPF32

 8.2. Size:1714K  international rectifier
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IRFPF32

PD- 95717IRFPF30PbF Lead-Free8/3/04Document Number: 91249 www.vishay.com1IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com2IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com3IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com4IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com5IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com6IRFPF30PbFPeak Diode Recovery d

 8.3. Size:1495K  vishay
 irfpf30 sihfpf30.pdf pdf_icon

IRFPF32

IRFPF30, SiHFPF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

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History: SSM3J15TE | IRC840PBF | STF34N65M5 | IPS80R900P7 | SSF6010A | DMG2305UX | AP2317GN-HF

 

 
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