IRFPF32 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPF32

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

 Búsqueda de reemplazo de IRFPF32 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFPF32 datasheet

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPF32

 8.1. Size:165K  international rectifier
 irfpf30.pdf pdf_icon

IRFPF32

 8.2. Size:1714K  international rectifier
 irfpf30pbf.pdf pdf_icon

IRFPF32

PD- 95717 IRFPF30PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91249 www.vishay.com 1 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 2 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 3 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 4 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 5 IRFPF30PbF Document Number 91249 www.vishay.com 6 IRFPF30PbF Peak Diode Recovery d

 8.3. Size:1495K  vishay
 irfpf30 sihfpf30.pdf pdf_icon

IRFPF32

IRFPF30, SiHFPF30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 78 Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 42 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFPE32, IRFPE40PBF, IRFPE42, IRFPE50PBF, IRFPE52, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, 2SK3878, IRFPF40PBF, IRFPF42, IRFPF52, IRFPG20, IRFPG22, IRFPG30PBF, IRFPG32, IRFPG40PBF