Справочник MOSFET. IRFPF32

 

IRFPF32 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFPF32
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для IRFPF32

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPF32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

IRFPF32

 8.1. Size:165K  international rectifier
 irfpf30.pdf pdf_icon

IRFPF32

 8.2. Size:1714K  international rectifier
 irfpf30pbf.pdf pdf_icon

IRFPF32

PD- 95717IRFPF30PbF Lead-Free8/3/04Document Number: 91249 www.vishay.com1IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com2IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com3IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com4IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com5IRFPF30PbFDocument Number: 91249 www.vishay.com6IRFPF30PbFPeak Diode Recovery d

 8.3. Size:1495K  vishay
 irfpf30 sihfpf30.pdf pdf_icon

IRFPF32

IRFPF30, SiHFPF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFPE32 , IRFPE40PBF , IRFPE42 , IRFPE50PBF , IRFPE52 , IRFPF20 , IRFPF22 , IRFPF30PBF , IRFP260 , IRFPF40PBF , IRFPF42 , IRFPF52 , IRFPG20 , IRFPG22 , IRFPG30PBF , IRFPG32 , IRFPG40PBF .

History: IPD530N15N3

 

 
Back to Top

 


 
.