IRFPF42 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPF42

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

 Búsqueda de reemplazo de IRFPF42 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFPF42 datasheet

 8.1. Size:899K  international rectifier
irfpf40.pdf pdf_icon

IRFPF42

PD - 94888 IRFPF40PbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91250 www.vishay.com 1 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 2 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 3 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 4 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 5 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 6 IRFPF40PbF TO-247AC Package O

 8.2. Size:1633K  vishay
irfpf40 sihfpf40.pdf pdf_icon

IRFPF42

IRFPF40, SiHFPF40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Ease of Paralleling Qgd (nC) 67 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

 8.3. Size:1640K  vishay
irfpf40pbf sihfpf40.pdf pdf_icon

IRFPF42

IRFPF40, SiHFPF40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Ease of Paralleling Qgd (nC) 67 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

Otros transistores... IRFPE42, IRFPE50PBF, IRFPE52, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, 2N7002, IRFPF52, IRFPG20, IRFPG22, IRFPG30PBF, IRFPG32, IRFPG40PBF, IRFPG42, IRFPG50PBF