IRFPF42. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPF42

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для IRFPF42

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPF42 даташит

 8.1. Size:899K  international rectifier
irfpf40.pdfpdf_icon

IRFPF42

PD - 94888 IRFPF40PbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91250 www.vishay.com 1 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 2 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 3 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 4 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 5 IRFPF40PbF Document Number 91250 www.vishay.com 6 IRFPF40PbF TO-247AC Package O

 8.2. Size:1633K  vishay
irfpf40 sihfpf40.pdfpdf_icon

IRFPF42

IRFPF40, SiHFPF40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Ease of Paralleling Qgd (nC) 67 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

 8.3. Size:1640K  vishay
irfpf40pbf sihfpf40.pdfpdf_icon

IRFPF42

IRFPF40, SiHFPF40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Ease of Paralleling Qgd (nC) 67 Simple Drive Requirements Configuration Single Complian

Другие IGBT... IRFPE42, IRFPE50PBF, IRFPE52, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, 2N7002, IRFPF52, IRFPG20, IRFPG22, IRFPG30PBF, IRFPG32, IRFPG40PBF, IRFPG42, IRFPG50PBF