IRFPF52 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFPF52
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPF52

IRFPF52 Datasheet (PDF)

..1. Size:123K international rectifier
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf

8.1. Size:863K international rectifier
irfpf50.pdf

PD - 94889IRFPF50PbF Lead-Free12/11/03Document Number: 91251 www.vishay.com1IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com2IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com3IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com4IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com5IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com6IRFPF50PbFTO-247AC Package O

8.2. Size:1466K vishay
irfpf50 sihfpf50.pdf

IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

8.3. Size:1471K infineon
irfpf50 sihfpf50.pdf

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Liste

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