IRFPF52 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFPF52 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPF52

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

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IRFPF52 datasheet

..1. Size:123K international rectifier
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

8.1. Size:863K international rectifier
irfpf50.pdf pdf_icon

PD - 94889 IRFPF50PbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91251 www.vishay.com 1 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 2 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 3 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 4 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 5 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 6 IRFPF50PbF TO-247AC Package O

8.2. Size:1466K vishay
irfpf50 sihfpf50.pdf pdf_icon

IRFPF50, SiHFPF50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.6 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

8.3. Size:1471K infineon
irfpf50 sihfpf50.pdf pdf_icon

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