IRFPF52 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFPF52
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
IRFPF52 Datasheet (PDF)
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf
irfpf50.pdf
PD - 94889IRFPF50PbF Lead-Free12/11/03Document Number: 91251 www.vishay.com1IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com2IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com3IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com4IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com5IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com6IRFPF50PbFTO-247AC Package O
irfpf50 sihfpf50.pdf
IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli
irfpf50 sihfpf50.pdf
IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
