Справочник MOSFET. IRFPF52

 

IRFPF52 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFPF52
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для IRFPF52

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPF52 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:863K  international rectifier
irfpf50.pdfpdf_icon

IRFPF52

PD - 94889IRFPF50PbF Lead-Free12/11/03Document Number: 91251 www.vishay.com1IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com2IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com3IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com4IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com5IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com6IRFPF50PbFTO-247AC Package O

 8.2. Size:1466K  vishay
irfpf50 sihfpf50.pdfpdf_icon

IRFPF52

IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 8.3. Size:1471K  infineon
irfpf50 sihfpf50.pdfpdf_icon

IRFPF52

IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

Другие MOSFET... IRFPE50PBF , IRFPE52 , IRFPF20 , IRFPF22 , IRFPF30PBF , IRFPF32 , IRFPF40PBF , IRFPF42 , IRF1010E , IRFPG20 , IRFPG22 , IRFPG30PBF , IRFPG32 , IRFPG40PBF , IRFPG42 , IRFPG50PBF , IRFPG52 .

History: VN67AD

 

 
Back to Top

 


 
.