Справочник MOSFET. IRFPF52

 

IRFPF52 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFPF52
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

 Аналог (замена) для IRFPF52

 

 

IRFPF52 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:863K  international rectifier
irfpf50.pdf

IRFPF52
IRFPF52

PD - 94889IRFPF50PbF Lead-Free12/11/03Document Number: 91251 www.vishay.com1IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com2IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com3IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com4IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com5IRFPF50PbFDocument Number: 91251 www.vishay.com6IRFPF50PbFTO-247AC Package O

 8.2. Size:1466K  vishay
irfpf50 sihfpf50.pdf

IRFPF52
IRFPF52

IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

 8.3. Size:1471K  infineon
irfpf50 sihfpf50.pdf

IRFPF52
IRFPF52

IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top