IRFPF52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFPF52

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для IRFPF52

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFPF52 даташит

 8.1. Size:863K  international rectifier
irfpf50.pdfpdf_icon

IRFPF52

PD - 94889 IRFPF50PbF Lead-Free 12/11/03 Document Number 91251 www.vishay.com 1 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 2 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 3 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 4 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 5 IRFPF50PbF Document Number 91251 www.vishay.com 6 IRFPF50PbF TO-247AC Package O

 8.2. Size:1466K  vishay
irfpf50 sihfpf50.pdfpdf_icon

IRFPF52

IRFPF50, SiHFPF50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.6 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

 8.3. Size:1471K  infineon
irfpf50 sihfpf50.pdfpdf_icon

IRFPF52

IRFPF50, SiHFPF50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 900 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.6 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

Другие IGBT... IRFPE50PBF, IRFPE52, IRFPF20, IRFPF22, IRFPF30PBF, IRFPF32, IRFPF40PBF, IRFPF42, IRF9540N, IRFPG20, IRFPG22, IRFPG30PBF, IRFPG32, IRFPG40PBF, IRFPG42, IRFPG50PBF, IRFPG52