IRFPG42 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFPG42 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFPG42

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de IRFPG42 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRFPG42 datasheet

..1. Size:123K international rectifier
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf pdf_icon

8.1. Size:860K international rectifier
irfpg40.pdf pdf_icon

PD - 94898 IRFPG40PbF Lead-Free 12/18/03 Document Number 91253 www.vishay.com 1 IRFPG40PbF Document Number 91253 www.vishay.com 2 IRFPG40PbF Document Number 91253 www.vishay.com 3 IRFPG40PbF Document Number 91253 www.vishay.com 4 IRFPG40PbF Document Number 91253 www.vishay.com 5 IRFPG40PbF Document Number 91253 www.vishay.com 6 IRFPG40PbF TO-247AC Package O

8.2. Size:1596K vishay
irfpg40 sihfpg40.pdf pdf_icon

IRFPG40, SiHFPG40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.5 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 16 Qgd (nC) 65 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

8.3. Size:1602K vishay
irfpg40pbf sihfpg40.pdf pdf_icon

Otros transistores... IRFPF40PBF, IRFPF42, IRFPF52, IRFPG20, IRFPG22, IRFPG30PBF, IRFPG32, IRFPG40PBF, 4435, IRFPG50PBF, IRFPG52, IRFPS29N60LPBF, IRFPS30N60KPBF, IRFPS35N50LPBF, IRFPS37N50APBF, IRFPS3810PBF, IRFPS3815PBF

IRFPG42 Todos los transistores