IRFPG50PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFPG50PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFPG50PBF
IRFPG50PBF Datasheet (PDF)
irfpg50pbf.pdf
PD - 94806IRFPG50PbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 110/31/03IRFPG50PbF2 www.irf.comIRFPG50PbFwww.irf.com 3IRFPG50PbF 100OPERATION IN THIS AREA LIMITEDBY RDS(on)10us 10100us1ms 110ms TC = 25 C TJ = 150 C Single Pulse0.1 10 100 1000 10000VDS , Drain-to-Source Voltage (V)Fig 8. Maximum Safe OperatingArea4 www.irf.com
irfpg50.pdf
PD - 9.543CIRFPG50HEXFET Power MOSFETwww.irf.com 110/29/97IRFPG502 www.irf.comIRFPG50www.irf.com 3IRFPG50 100OPERATION IN THIS AREA LIMITEDBY RDS(on)10us 10100us1ms 110ms TC = 25 C TJ = 150 C Single Pulse0.1 10 100 1000 10000VDS , Drain-to-Source Voltage (V)Fig 8. Maximum Safe OperatingArea4 www.irf.comDI, Drain Current (A
irfpg50 sihfpg50.pdf
IRFPG50, SiHFPG50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 190 Fast SwitchingQgs (nC) 23Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Compliant to RoHS Directive 2002/9
irfpc32 irfpe20 irfpe22 irfpe32 irfpe42 irfpe52 irfpf20 irfpf22 irfpf32 irfpf42 irfpf52 irfpg20 irfpg22 irfpg32 irfpg42 irfpg52.pdf
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History: AP9962AGH
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Liste
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