IRFR1N60APBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFR1N60APBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR1N60APBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: TO-252

Búsqueda de reemplazo de IRFR1N60APBF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRFR1N60APBF datasheet

..1. Size:231K international rectifier
irfr1n60apbf irfu1n60apbf.pdf pdf_icon

PD - 95518A SMPS MOSFET IRFR1N60APbF IRFU1N60APbF Applications HEXFET Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) VDSS Rds(on) max ID l Uninterruptable Power Supply l Power Factor Correction 600V 7.0 1.4A l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance

..2. Size:257K international rectifier
irfr1n60apbf irfu1n60apbf.pdf pdf_icon

5.1. Size:181K international rectifier
irfr1n60a.pdf pdf_icon

PD - 91846B SMPS MOSFET IRFR1N60A IRFU1N60A Applications HEXFET Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) VDSS Rds(on) max ID l Uninterruptable Power Supply l Power Factor Correction 600V 7.0 1.4A Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Vol

5.2. Size:244K vishay
irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

Otros transistores... IRFPS40N50LPBF, IRFPS40N60K, IRFPS40N60KPBF, IRFPS43N50K, IRFPS43N50KPBF, IRFRC20PBF, IRFR15N20DPBF, IRFR18N15DPBF, 4N60, IRFR210PBF, IRFR214PBF, IRFR220BTMFP001, IRFR220NPBF, IRFR220PBF, IRFR224PBF, IRFR2307ZPBF, IRFR230BTMAM002

IRFR1N60APBF Todos los transistores