IRFR1N60APBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR1N60APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IRFR1N60APBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR1N60APBF даташит

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irfr1n60apbf irfu1n60apbf.pdf pdf_icon

IRFR1N60APBF

PD - 95518A SMPS MOSFET IRFR1N60APbF IRFU1N60APbF Applications HEXFET Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) VDSS Rds(on) max ID l Uninterruptable Power Supply l Power Factor Correction 600V 7.0 1.4A l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance

 ..2. Size:257K  international rectifier
 irfr1n60apbf irfu1n60apbf.pdf pdf_icon

IRFR1N60APBF

PD - 95518A SMPS MOSFET IRFR1N60APbF IRFU1N60APbF Applications HEXFET Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) VDSS Rds(on) max ID l Uninterruptable Power Supply l Power Factor Correction 600V 7.0 1.4A l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance

 5.1. Size:181K  international rectifier
 irfr1n60a.pdf pdf_icon

IRFR1N60APBF

PD - 91846B SMPS MOSFET IRFR1N60A IRFU1N60A Applications HEXFET Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) VDSS Rds(on) max ID l Uninterruptable Power Supply l Power Factor Correction 600V 7.0 1.4A Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche Vol

 5.2. Size:244K  vishay
 irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

IRFR1N60APBF

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 14 Requirement Qgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qgd (nC) 8.1 dV/dt Ruggedness Configuration Sing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPS40N50LPBF, IRFPS40N60K, IRFPS40N60KPBF, IRFPS43N50K, IRFPS43N50KPBF, IRFRC20PBF, IRFR15N20DPBF, IRFR18N15DPBF, 4N60, IRFR210PBF, IRFR214PBF, IRFR220BTMFP001, IRFR220NPBF, IRFR220PBF, IRFR224PBF, IRFR2307ZPBF, IRFR230BTMAM002