IRFR2905ZPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR2905ZPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR2905ZPBF

IRFR2905ZPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:336K international rectifier
irfr2905zpbf irfu2905zpbf.pdf

PD - 95943BIRFR2905ZPbFIRFU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 14.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 42ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re

5.1. Size:285K international rectifier
auirfr2905ztr.pdf

PD - 96320AUTOMOTIVE GRADEAUIRFR2905ZHEXFET Power MOSFETV(BR)DSS55VFeaturesDl Advanced Process TechnologyRDS(on) typ.11.1ml Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature max. 14.5mGl Fast SwitchingID (Silicon Limited) 59A l Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSl Lead-Free, RoHS CompliantID (Package Limited) 42A l Automotive Qualified *

5.2. Size:668K infineon
auirfr2905z.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR2905Z Features VDSS 55V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 11.1m Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature max. 14.5m Fast Switching ID (Silicon Limited) 59A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 42A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D S Des

5.3. Size:242K inchange semiconductor
irfr2905z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR2905Z, IIRFR2905ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)14.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV G

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: