ZVN3306ASTOA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVN3306ASTOA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVN3306ASTOA datasheet

 ..1. Size:38K  diodes
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ZVN3306ASTOA

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN3306A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 60 Volt VDS * RDSon)=5 D G S ID= E-Line 1A TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. 0.5A PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 0.25A Drain-Source Voltage VDS 60 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 270 mA Pulsed Drain Current IDM 3A cs Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissip

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ZVN3306ASTOA

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN3306A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 60 Volt VDS * RDSon)=5 D G S ID= E-Line 1A TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. 0.5A PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT 0.25A Drain-Source Voltage VDS 60 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 270 mA Pulsed Drain Current IDM 3A cs Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissip

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ZVN3306ASTOA

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN3306F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 JANUARY 1996 FEATURES * RDS(on)=5 S * 60 Volt VDS D COMPLEMENTARY TYPE - ZVP3306F G PARTMARKING DETAIL - MC SOT23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 60 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 150 mA Pulsed Drain Current IDM 3A Gate-Source Voltage VGS 20

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ZVN3306ASTOA

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN3306F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 JANUARY 1996 FEATURES * RDS(on)=5 S * 60 Volt VDS D COMPLEMENTARY TYPE - ZVP3306F G PARTMARKING DETAIL - MC SOT23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 60 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 150 mA Pulsed Drain Current IDM 3A Gate-Source Voltage VGS 20

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