IRFR214 Todos los transistores

 

IRFR214 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR214
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.2(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR214 Datasheet (PDF)

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IRFR214

 ..2. Size:1415K  international rectifier
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IRFR214

PD- 95384AIRFR214PbFIRFU214PbF Lead-Free12/3/04Document Number: 91269 www.vishay.com1IRFR/U214PbFDocument Number: 91269 www.vishay.com2IRFR/U214PbFDocument Number: 91269 www.vishay.com3IRFR/U214PbFDocument Number: 91269 www.vishay.com4IRFR/U214PbFDocument Number: 91269 www.vishay.com5IRFR/U214PbFDocument Number: 91269 www.vishay.com6IRFR/U214

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IRFR214

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 250Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.2 Surface Mount (IRFR9210, SiHFR9210)Qgs (nC) 1.8 Straight Lead (IRFU9210, SiHFU9210)Qgd (nC) 4.5 Available

 ..4. Size:859K  vishay
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IRFR214

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Surface Mount (IRFR214, SiHFR214) Straight Lead (IRFU214, SiHFU214)Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Eas

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History: MTC8404V8 | TMP20N65H

 

 
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