IRFR214A Todos los transistores

 

IRFR214A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR214A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR214A datasheet

 ..1. Size:190K  1
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IRFR214A

 ..2. Size:510K  samsung
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IRFR214A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) 1.393 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Char

 7.1. Size:169K  international rectifier
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IRFR214A

 7.2. Size:1415K  international rectifier
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IRFR214A

PD- 95384A IRFR214PbF IRFU214PbF Lead-Free 12/3/04 Document Number 91269 www.vishay.com 1 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 2 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 3 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 4 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 5 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 6 IRFR/U214

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