IRFR214A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR214A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR214A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR214A даташит

 ..1. Size:190K  1
 irfu214a irfr214a.pdf pdf_icon

IRFR214A

 ..2. Size:510K  samsung
 irfr214a.pdf pdf_icon

IRFR214A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) 1.393 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Char

 7.1. Size:169K  international rectifier
 irfr214.pdf pdf_icon

IRFR214A

 7.2. Size:1415K  international rectifier
 irfr214pbf irfu214pbf.pdf pdf_icon

IRFR214A

PD- 95384A IRFR214PbF IRFU214PbF Lead-Free 12/3/04 Document Number 91269 www.vishay.com 1 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 2 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 3 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 4 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 5 IRFR/U214PbF Document Number 91269 www.vishay.com 6 IRFR/U214

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR120N, IRFR121, IRFR130A, IRFR1N60A, IRFR210, IRFR210A, IRFR212, IRFR214, 8205A, IRFR220, IRFR220A, IRFR222, IRFR224, IRFR224A, IRFR230A, IRFR310, IRFR310A