ZVP2110ASTOA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVP2110ASTOA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO-92

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ZVP2110ASTOA datasheet

 ..1. Size:49K  diodes
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ZVP2110ASTOA

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0C ZVP2110A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=8 D G S E-Line TO92 Compatible ble ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT NIT Drain-Source Voltage VDS -100 V V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -230 mA mA Pulsed Drain Current IDM -3 A A Gate Source Voltage VGS 20 V V Power Dis

 6.1. Size:70K  diodes
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ZVP2110ASTOA

P-CHANNEL ENHANCEMENT 0C ZVP2110A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=8 D G S E-Line TO92 Compatible ble ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT NIT Drain-Source Voltage VDS -100 V V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -230 mA mA Pulsed Drain Current IDM -3 A A Gate Source Voltage VGS 20 V V Power Dis

 7.1. Size:108K  diodes
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ZVP2110ASTOA

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD V D V 8 D V V T T V V S V 8V D T I D T I V V G V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T

 7.2. Size:86K  diodes
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ZVP2110ASTOA

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2110G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD V D V 8 D V V T T V V S V 8V D T I D T I V V G V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T

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