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ZVP3306FTC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVP3306FTC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.09 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP3306FTC

 

Principales características: ZVP3306FTC

 ..1. Size:89K  diodes
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ZVP3306FTC

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT 6F ZVP3306F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD D S V D V V T I D T I V G T T V V V 8V SOT23 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

 5.1. Size:844K  cn vbsemi
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ZVP3306FTC

ZVP3306FTA www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) VGS(th) (V) ID (mA) Definition TrenchFET Power MOSFET - 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance 3 Low Threshold - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed 20 ns (typ.) Lo

 6.1. Size:115K  diodes
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ZVP3306FTC

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT 6F ZVP3306F MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD D S V D V V T I D T I V G T T V V V 8V SOT23 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V V D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

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ZVP3306FTC

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP3306A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS= D -16V -14V -12V D -10V E-Line -9V -8V TO92 Compatible -7V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. -6V T V IT -5V -4.5V D i V I VD V 8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I

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