ZXM41N10FTA Todos los transistores

 

ZXM41N10FTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXM41N10FTA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZXM41N10FTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  diodes
 zxm41n10fta zxm41n10ftc.pdf pdf_icon

ZXM41N10FTA

ZXM41N10FSOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFETFEATURES BVDSS = 100V Low ThresholdDEVICE MARKING 410ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPINOUT TOP VIEW SOT23PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-source voltage VDS 100 VDrain-gate voltage VDGR 100 VContinuous drain current at Tamb=25C ID 170 mAPulsed drain current IDM 680 mAGate-source voltage VGS 20 VPower

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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