ZXM41N10FTA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZXM41N10FTA  📄📄 

Маркировка: 410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZXM41N10FTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXM41N10FTA даташит

 ..1. Size:96K  diodes
 zxm41n10fta zxm41n10ftc.pdf pdf_icon

ZXM41N10FTA

ZXM41N10F SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFET FEATURES BVDSS = 100V Low Threshold DEVICE MARKING 410 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS PINOUT TOP VIEW SOT23 PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-source voltage VDS 100 V Drain-gate voltage VDGR 100 V Continuous drain current at Tamb=25 C ID 170 mA Pulsed drain current IDM 680 mA Gate-source voltage VGS 20 V Power

Другие IGBT... ZVP4424GTA, ZVP4424GTC, ZVP4424ZTA, ZVP4525E6TA, ZVP4525E6TC, ZVP4525GTA, ZVP4525GTC, ZVP4525ZTA, IRF730, ZXM41N10FTC, ZXM61N02FTA, ZXM61N02FTC, ZXM61N03FTA, ZXM61N03FTC, ZXM61P02FTA, ZXM61P02FTC, ZXM61P03FTA