ZXM41N10FTC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZXM41N10FTC 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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ZXM41N10FTC datasheet
zxm41n10fta zxm41n10ftc.pdf
ZXM41N10F SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFET FEATURES BVDSS = 100V Low Threshold DEVICE MARKING 410 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS PINOUT TOP VIEW SOT23 PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-source voltage VDS 100 V Drain-gate voltage VDGR 100 V Continuous drain current at Tamb=25 C ID 170 mA Pulsed drain current IDM 680 mA Gate-source voltage VGS 20 V Power
Otros transistores... ZVP4424GTC, ZVP4424ZTA, ZVP4525E6TA, ZVP4525E6TC, ZVP4525GTA, ZVP4525GTC, ZVP4525ZTA, ZXM41N10FTA, IRFZ44N, ZXM61N02FTA, ZXM61N02FTC, ZXM61N03FTA, ZXM61N03FTC, ZXM61P02FTA, ZXM61P02FTC, ZXM61P03FTA, ZXM61P03FTC
History: IXFR30N60P | HMS11N65I | IXFR36N50P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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